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热丝辅助改善高速生长a-Si:H薄膜性能的研究

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a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH<,4>进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长的a-Si:H薄膜呈现出较高的光敏性(光电导/暗电导)、较低的键合氢含量.分析表明,热丝对等离子体的热辐射对a-Si:H薄膜性能的改善起了决定性的作用.热丝辅助MWECR-CVD方法的提出为调控高速生长的a-Si:H薄膜的性能提供了一种新的途径.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|432-435|共4页
会议地点大连
作者
阴生毅; 陈光华; 荣延栋; 朱秀红;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
a-Si:H; MWECR-CVD法; 光敏性; a-Si:H薄膜; 薄膜性能; 热丝辅助;

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