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康凌; 刘宝林;
中国光学学会;
浙江省光学会;
浙江大学;
半导体材料; GaN基化合物; 光学性质; 化学气相沉积;
机译:有和没有掺Si的InGaN预层生长的InGaN / GaN多量子阱结构的光学性能比较
机译:铟梯度半极性InGaN / GaN量子阱的光学性质研究
机译:Ingan / gan多量子阱的光学性质研究
机译:基于Ingan / GaN / Al_2O_3和IngaN / GaN / Si异质结构的光学泵浦UV蓝色激光器
机译:GaN纳米线中InGaN盘的相干非线性光学光谱。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:基于半导体GAN:P / INGAN / GAN:N的立方晶格太阳能电池,在氧化镁,MGO上呈立方相,在两个侧面上均可发光。
机译:GaN纳米针的无催化剂生长及其在InGaN / GaN可见光LED中的应用
机译:用于在蓝宝石上生长GaN的InGaN / AlGaN / GaN多层缓冲液
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