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一种星用抗辐射加固大电流PIN驱动器的设计考虑

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本文介绍了一种星用大电流PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试验验证,经过电路版图和工艺的优化设计,电路抗辐射总剂量可望达到107rad(Si).

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来源
《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2005年|147-151|共5页
会议地点成都
作者
江军; 谭开洲; 许云;
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作者单位

中国核学会;

中国电子学会;

中国工程物理研究院;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类环境模拟;
关键词
PIN驱动器; 双极器件; 总剂量; 抗辐射加固;

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