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Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜的取向生长及其铁电介电特性研究

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用sol-gel工艺直接在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出了a轴择优取向(α(100)=62％)和高c轴取向(α(100)=96％)的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)薄膜.发现BNdT薄膜的铁电介电性能强烈依赖于晶粒取向.a轴择优取向BNdT薄膜的2Pr和εr值最高,分别为65μC/cm2和343(100kHz处);随机取向薄膜的2Pr和εr值为34μCcm2和331;而高c轴取向薄膜的2Pr和εr值最低,分别为23μC/cm2和218.上述结果表明,BNdT的自发极化矢量靠近a轴.纯a轴取向BNdT薄膜的2Pr值可估算为84μC/cm2.

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来源
《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》|2005年|169-171|共3页
会议地点成都
作者
乔燕; 江汉大学物理与电子信息工程学院; 陈晓琴; 祁亚军; 卢朝靖; 朱劲松;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
铁电薄膜; 取向生长; 晶粒取向; 介电性能; 自发极化;

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