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一种用于高压SOI器件材料的工艺制备技术

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提出了一种可用于高压SOILDMOS器件的SOI材料的工艺制备技术。通过该工艺技术,获得了第一埋氧层图形化的Si/SiO2/Poly/SiO2/Si5层纵向结构的双埋层夹多晶硅SOI材料。其SiO2/Poly/SiO2结构可以在相对较薄的第二埋氧层中获得相对很高的耐压;同时,减少了SOI器件自热效应对器件性能的影响.

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|363-366|共4页
会议地点重庆
作者
冯志成; 张正元; 陈开锋; 罗小蓉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
功率器件; 工艺流程; 模拟仿真; 扫描电镜;
入库时间 2022-08-17 10:17:21

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