半导体脉冲功率开关的趋肤效应研究

摘要

本文基于交变电场中趋肤效应的理论，研究了一种半导体脉冲开关器件RSD中存在的趋肤效应问题。根据日本学者提出的对半导体器件家族的分类方法先将其划分为PIN 型二极管器件，并使用有限元软件ANSYS模拟了这种器件的基本结构，对该器件在通过脉冲电流时的电流密度和焦耳热的分布情况进行了仿真，将得到的仿真结果与实验结果进行比较分析从而证实了该器件工作时趋肤效应的存在。