具有分段线性补偿的低温漂带隙基准电路

摘要

针对带隙基准电路中正偏BE结的负温特性随温度的增加越来越明显的特点，在温度升高时，增加另一股PTAT 电流对负温特性进行补偿，以改善基准的温漂特性。基于NEC0.6um-NMOS工艺，用Hspice进行，仿真结果表明该电路在温度-40℃-200℃变化时，温度系数为0.9ppm/℃。