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Atomic layer self aligned substrate processing and integrated toolset

机译:原子层自对准基板处理和集成工具集

摘要

Apparatus and methods to process one or more wafers are described. A substrate is exposed to a plurality of process stations to deposit, anneal, treat and optionally etch a film in small increments to provide self-aligned growth of the film on a substrate surface.
机译:描述用于处理一个或多个晶片的装置和方法。 将基板暴露于多个过程站以沉积,退火,处理和任选地以小的增量蚀刻膜,以在基板表面上提供膜的自对准生长。

著录项

  • 公开/公告号US11131022B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 APPLIED MATERIALS INC.;

    申请/专利号US201916412696

  • 发明设计人 SUKETU ARUN PARIKH;

    申请日2019-05-15

  • 分类号C23C16/455;H01L21/02;H01L21/67;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 21:18:39

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