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Van der Waals heterostructures

机译:van der Waals异质矫形

摘要

A method suitable for use in the fabrication of a van der Waals heterostructure, the method comprises the steps of applying a mask 16 to a substrate 14, rubbing a first material 12 against the substrate 14 to deposit and apply, by abrasion, a first layer of the first material to the substrate 14, applying a second mask over the first layer, and rubbing a second material against the substrate 14 to apply, by abrasion, a second layer of the second material over at least part of the first layer. The second material may be less hard or less abrasive than the first material 12. The first and second materials may be applied using a rotatable head 10. A further step may include the transfer of a prefabricated element which may comprise a layer formed by CVD. A multi-layered structure formed using this method is specified, where the structure may further comprise a photo detector, a light emitting device, a transistor, a capacitor, a resistor, a superconducting memory device, a single photon emitter located on a film, a triboelectric generator or a hydrogen evolution catalyst.
机译:适用于制造范德华异质结构的方法,该方法包括将掩模16施加到基板14的步骤,摩擦将第一材料12摩擦并涂覆并涂抹并涂抹第一层将第一材料施加到基板14上,在第一层上施加第二掩模,并通过磨损,通过磨损,通过磨损,第二材料在第一层的至少一部分上施加第二材料。第二材料可以比第一材料12更厚或更少磨料。可以使用可旋转头10施加第一和第二材料。另一步骤可以包括预制元件的转移,该元件可包括由CVD形成的层。指定了使用该方法形成的多层结构,其中该结构还可以包括光电检测器,发光器件,晶体管,电容器,电阻器,超导存储装置,位于薄膜上的单个光子发射器,摩擦发电机或氢进化催化剂。

著录项

  • 公开/公告号GB2589356A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNIVERSITY OF EXETER;

    申请/专利号GB20190017317

  • 发明设计人 FREDDIE WITHERS;DARREN NUTTING;

    申请日2019-11-28

  • 分类号H01L21/70;B82Y40;C01B32/19;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-24 19:10:44

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