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SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, METHOD FOR FABRICATING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, MODULE, LIGHT SOURCE APPARATUS, DATA PROCESSING APPARATUS, LIGHT SENDING APPARATUS, OPTICAL SPATIAL TRANSMISSION APPARATUS, AND OPTICAL SPATIAL TRANSMISSION SYSTEM

机译:表面发射半导体激光器,制造表面发射半导体激光器的方法,模块,光源设备,数据处理设备,光传感设备,光学空间传输设备和光学空间传输系统

摘要

The present invention is to provide a VCSEL with mode control can be performed effectively by task . ; VCSEL (100) is of the p-type GaAs substrate 102 , GaAs substrate (102) formed on the lower portion of the p-type DBR (106) and is formed on the lower DBR (106), generating light which is formed on the active layer 112 , an active layer 112 , and selectively absorb or reflect the light of the oscillation wavelength , the optical mode control layer for controlling the mode of the laser light 120 and an optical mode control layer 120 has an upper DBR (124) formed on the .
机译:本发明旨在提供一种可以通过任务有效执行模式控制的VCSEL。 ; VCSEL(100)属于p型GaAs衬底102,GaAs衬底(102)形成在p型DBR(106)的下部,并形成在下部DBR(106)上,产生在有源层112,有源层112并选择性地吸收或反射振荡波长的光,用于控制激光120的模式的光学模式控制层和光学模式控制层120具有上DBR(124)在...上形成。

著录项

  • 公开/公告号KR101121114B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20080004201

  • 申请日2008-01-15

  • 分类号H01S5/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:08:29

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