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疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关

摘要

本发明公开了一种疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关,涉及微流控技术领域,包括基体,所述基体上设置有若干阵列区域,各所述阵列区域包括若干均布的微柱,不同的所述阵列区域的所述微柱的间距由所述基体的一端向所述基体的另一端依次增大,所述微柱均具有磁性。本发明的疏密梯度微结构的微柱按照一定规则形成疏密的阵列区域,微柱可以在外部磁场的条件下定向偏转。通过控制磁场的强弱,可以控制微柱的偏转角度,继而控制液膜铺展方向,由此可以实现液体的定向调控。本发明可以实现微流控领域的液体铺展方向实时调控,为微流控、药物定向筛选、以及微流控芯片的设计提供新思路。

著录项

  • 公开/公告号CN113289700B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN202110527092.9

  • 发明设计人 陈华伟;刘光;张力文;陈登科;

    申请日2021-05-14

  • 分类号B01L3/00;

  • 代理机构北京高沃律师事务所;

  • 代理人王富强

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 13:33:27

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