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一种用于模拟脆性材料破坏的双线性自适应相场方法

摘要

本发明公开了一种用于模拟脆性材料破坏的双线性自适应相场方法,包括:通过单轴拉伸试验获得数值模拟过程所需材料参数,创建双线性四边形单元或双线性三角形单元,建立相场模型控制方程,建立有限元数值模型并对其进行赋予材料参数、边界条件和有限元网格,从而求解控制方程得到相场分布,根据相场值判断是否存在单元需要进行自适应划分,如果有,则在网格细化后再次对原荷载步求解,否则进行下一步求解,从而最终实现对脆性材料在复杂应力下裂纹扩展过程、裂纹扩展方向与裂纹扩展路径的精准模拟。通过本发明,极大提高了相场模型的计算效率;大幅度提高了对裂纹扩展过程的模拟精度,解决传统模型因无法对网格进行合理划分而产生的一系列问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112036060B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202010767749.4

  • 申请日2020-08-03

  • 分类号G06F30/23(20200101);G06F111/10(20200101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人罗飞

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2022-08-23 13:22:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-01

    授权

    发明专利权授予

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