基于SiN微盘夹心层结构的单光子源的制备方法及器件

摘要

本发明涉及一种基于SiN微盘夹心层结构的单光子源的制备方法及器件，包括在硅基衬底上沉积SiN薄膜，在SiN芯片上制备SiN波导层，得到SiN波导阵列结构，在SiN波导层上沉积二氧化硅找平层，在二氧化硅找平层上沉积并制备SiN微盘夹心层结构；SiN微盘夹心层结构的有源层是量子点薄层。本发明可以采用垂直激光的泵浦，使得量子点受激发光。通过设计合理尺寸的微盘结构，使得微盘边缘处的量子点受激发光产生的光子与微盘发生谐振作用。最后谐振光耦合进SiN波导中，实现光在波导中传输，在波导的输出端口采用光纤收集测试光子数。