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一种漂移探测器的制备方法及漂移探测器

摘要

本发明提供一种漂移探测器的制备方法,包括,在衬底的两面分别形成第一掩蔽层和第二掩蔽层,选择性去除第一掩蔽层和第二掩蔽层以形成第一隔离区和第二隔离区,对第一隔离区进行离子掺杂形成第一掺杂隔离区,在第一掺杂隔离区和第二隔离区表面分别形成第一隔离层和第二隔离层,去除第一掩蔽层以形成阳极区和漂移环区,去除第二掩蔽层以形成收集区;对阳极区、漂移环区和收集区分别进行离子掺杂并退火;在阳极区、漂移环区和收集区形成介质层及接触孔;在接触孔中形成金属引线。本发明通过设计第一掺杂隔离区与漂移环区之间不同的掺杂类型,避免漂移环区之间的漏电,实现高击穿电压和低暗电流。本发明还提供一种应用上述制备方法得到的漂移探测器。

著录项

  • 公开/公告号CN110854223B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201911155931.8

  • 发明设计人 许高博;殷华湘;翟琼华;

    申请日2019-11-22

  • 分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/115(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11628 北京知迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人王胜利

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 11:37:52

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