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公开/公告号CN109991728B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 华为技术有限公司;无锡微奥科技有限公司;
申请/专利号CN201711481331.1
发明设计人 陈奕文;黄兆兴;姚丹阳;汤红;蒋臣迪;谢会开;
申请日2017-12-29
分类号G02B26/08(20060101);B81B7/02(20060101);
代理机构
代理人
地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
入库时间 2022-08-23 11:27:50
机译: 加强了用于微机电系统(MEMS)的外壳结构,其保护性树脂覆盖MEMS芯片,控制芯片,导线和引线框架的一部分,而封装则覆盖保护性树脂,MEMS芯片和引线框架的一部分
机译: 使用激光穿透芯片结构的基于MEMS 3 MEMS的离子阱设备及其制造方法
机译: MEMS芯片和ASIC芯片的包装结构及包装方法
机译:腔体芯片互连技术,用于MEMS-LSI多芯片模块中的厚MEMS芯片集成
机译:5/6运动传感器原始mems结构集成到1个芯片中
机译:改进的MEMS结构可实现无应力倒装芯片封装
机译:DNA液滴CMOS / MEMS芯片微流体通道几何结构的研究
机译:用于芯片实验室电极和三维MEMS微结构的电镀。
机译:基于MEMS的多参数集成芯片及其便携式水质检测系统
机译:湿法蚀刻实现的MEMS结构的3D形状延伸:单晶硅微芯片研究(<特别问题>微纳工程第一研讨会)
机译:mEms / mOEms / BiomEms /芯片实验室的可靠性