一种功率芯片终结区的制备方法、终结区的结构及功率芯片

摘要

一种功率芯片终结区的制备方法及终结区结构及功率芯片，制备方法包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；终结区包括边角区与平行区，所述平行区设置有第一P型环结构，所述边角区设置有第二P型环结构，第一、第二P型环结构位于非所述场氧化层区域。其技术方案的有益效果在于，通过终结区的平行区和边角区的结构设置，其中，P+接地环决定边角的第一个电场强度,可藉由第一个P型环P+接地环来调整的电场强度,使其设计可以使用最小的曲率,避开弯角造成的电力线拥挤使电场强度增大,其可以有效减少场终结区宽度进而减少芯片总面积降低成本。