一种提高单层GaSe光催化性能的方法

摘要

本发明专利涉及光催化技术领域，尤其指一种提高单层GaSe光催化性能的方法。包括S1、单层硒化镓的优化：首先利用根据块状硒化镓的晶体结构获得二维GaSe的晶体结构。然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化，最后计算基本的性质；S2、构件多种异质结构：选择组成异质结的另一种材料重复上述的操作。使用MS软件将两种单层二维材料堆叠在一起形成异质结；S3、选择异质结：对不同的异质结进行高精度结构优化并计算它们的结合能，选择出结合能最小的异质结进行后续的研究；对选中的异质结进行更高精度的结构优化；S4、计算异质结相关参数；S5、施加双轴应变后再计算其光吸收。该方法能够提高了电子空穴的氧化还原能力，提高光催化的效率。