公开/公告号CN115411188A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-29
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN202210990650.X
申请日2022-08-18
分类号H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48;
代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2023-06-19 17:46:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-29
公开
发明专利申请公布
机译: 金属单壁碳纳米管的破坏性如何,半导体单壁碳纳米管组件的制造方法,半导体单壁碳纳米管薄膜的制造方法,半导体单壁碳纳米管的破坏性方法,金属单壁碳纤维纳米管集合体的制造方法,金属单壁碳纳米管薄膜的制造方法以及碳纳米管FET电子器件的制造方法
机译: 利用火花等离子体烧结法制备单壁碳纳米管增强金属基复合材料的方法及由此制得的单壁碳纳米管增强金属基复合材料
机译: 利用火花等离子体烧结法制备单壁碳纳米管增强金属基复合材料的方法及由此制得的单壁碳纳米管增强金属基复合材料