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公开/公告号CN115238637A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;
申请/专利号CN202211065059.X
发明设计人 宋睿强;邵津津;刘必慰;胡春媚;吴振宇;池雅庆;梁斌;袁珩洲;陈建军;
申请日2022-09-01
分类号G06F30/392;G06F30/398;
代理机构长沙国科天河知识产权代理有限公司;
代理人彭小兰
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2023-06-19 17:19:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-25
公开
发明专利申请公布
机译: 半导体集成电路,标准单元,标准单元库,半导体集成电路设计方法和半导体集成电路设计设备
机译:65 NM子阈值逻辑标准单元库使用Quasi-Schmitt-Trigger设计方案和逆窄宽度效果意识到尺寸
机译:用于130tracknm互补金属氧化物半导体技术中近阈值电压操作的六轨多指标准单元库设计
机译:亚阈值标准单元大小调整方法和库比较
机译:5NM FinFET标准单元库近阈值和超级阈值电压调节的优化和电路合成
机译:VLSI设计实验室和UCCS-1标准单元库的设计方法
机译:遮蔽阈值数据库烟雾探测器的各种可燃物的构建
机译:使用国家安全局开发的1.2微米标准单元库,演示支持现场设施的CmOs VLsI电路原型