公开/公告号CN115144740A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-04
原文格式PDF
申请/专利权人 成都爱旗科技有限公司;
申请/专利号CN202210745094.X
发明设计人 不公告发明人;
申请日2022-06-27
分类号G01R31/317;G01R31/3181;G01R31/3185;G06F1/24;H03K3/356;
代理机构北京知迪知识产权代理有限公司;
代理人王胜利
地址 610094 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天华二路219号C12栋17层
入库时间 2023-06-19 17:02:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-04
公开
发明专利申请公布
机译: 双向锁存电路的上电噪声抑制方法
机译: 一种半导体存储器,具有上电复位控制型的锁存型行线中继器;
机译: -具有双稳态锁存器的上电电路