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公开/公告号CN114994414A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-02
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202210591834.9
发明设计人 高勇;蔡林宏;李恩;朱辉;郑虎;龙嘉威;张云鹏;高冲;余承勇;谢茂春;何骁;李兴兴;
申请日2022-05-27
分类号G01R27/26;
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人曾磊
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 16:39:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-02
公开
发明专利申请公布
机译: 材料高温介电性能测试系统
机译: 形成具有高K含氧电容器介电层的电容器的方法,处理高K含氧介电层的方法,形成具有具有高K含氧电容器介电层的DRAM单元的方法
机译: 高介电纳米片层叠体,高介电纳米片层叠体,高介电元件的制造方法以及高介电薄膜元件
机译:用于垂直高压装置的高介电介电边缘终端
机译:使用19毫米自由空间微波测量系统对变压器油进行非破坏性和非接触式介电测量方法25 GHz频率范围
机译:毫米波段无线电吸收体测量方法的研究(第3部分)-喇叭天线与介电透镜组合使用平行波束的自由空间方法的标准化
机译:无自由空间微波测量系统在8〜12 GHz频率范围内使用自由空间微波测量系统对介电性能的反射和传输方法和金属背面测量的比较
机译:用于路线图终端设备和其他应用的超薄锗/高κ介电结构。
机译:终端耐旱珍珠小米Pennisetum glaucum(L.)R. Br。叶片ABA含量高在高蒸气压下限制蒸腾作用
机译:高静水压下人类红细胞的电学和形态学变化,然后进行介电谱分析(界面科学-分子聚集体)
机译:高压下pZT 95/5铁电陶瓷的介电特性