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2023-01-24
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L21/3065 专利申请号:2022103684318 申请公布日:20220812
发明专利申请公布后的撤回
技术领域
本发明涉及刻蚀领域,尤其涉及一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法。
背景技术
在刻蚀领域,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底,目前的生产状态下,刻蚀机因各种报警等原因导致的加工产品在作业中异常中断后被传出,产品无法继续正常刻蚀,属于报废产品,无法供应客户,浪费产能和成本,因此为了避免加工产品出现报废,保证加工产品在补救后可以进行再次刻蚀;
为了降低因刻蚀中断导致的报废产品产出量,提出一种适用于图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业中异常中断后的补救方法,可以有效解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法,包括以下步骤:
S1:当刻蚀机出现报警导致刻蚀过程中断后,对当前已刻蚀时间和当前已刻蚀所在步骤进行查明;
S2:对需要再次刻蚀的时间进行计算;
S3:将产品传入刻蚀机并使用S2步骤中计算的补救方案进行再次刻蚀;
S4:将完成再次刻蚀后的产品传出,完成整个刻蚀的过程。
优选的:所述S1步骤中的已刻蚀时间和已刻蚀所在步骤利用刻蚀机内Data Log进行查询。
优选的:所述S2步骤中的再次刻蚀的时间单位为S。
作为本发明优选的:所述蚀刻机刻蚀过程分为三大步骤,其包括:
1:STABLE步骤;所述STABLE步骤设定的总时间为T
2:ME步骤;设定ME步骤总时间为T
3:OE步骤;设定OE步骤总时间为T
作为本发明一种优选的:所述S2步骤中的对再次刻蚀所需的时间进行计算,包括以下步骤:
S21:当处于STABLE步骤时,X
S22:当处于ME步骤时,若X
当处于ME步骤时,若(T
当处于ME步骤时,若(T
S23:当处于OE步骤时,若X
当处于OE步骤时,若(T
当处于OE步骤时,若(T
作为本发明一种优选的:所述S1步骤中的刻蚀机的刻蚀过程,包括以下步骤:
S11:将待刻蚀件利用传送设备传送到装载腔内;
S12:利用传输腔内的机械手将待刻蚀件送入到中转腔内进行中转;
S13:对加工工艺腔进行检测;
S14:利用机械手将待刻蚀件送入到加工工艺腔内进行刻蚀作业。
进一步的:所述刻蚀机的刻蚀方式采用干法工艺进行刻蚀。
作为本发明进一步的方案:所述干法工艺刻蚀的步骤包括:
1:电流通入线圈产生磁场,磁场感应出电场;
2:工艺气体通入电场,电场加速电子,与工艺气体碰撞,使气体解离成电浆;
3:再利用下电极將离子往下拉去与光阻和衬底发生作用达到刻蚀效果。
本发明的有益效果为:
1.当刻蚀机由于出现报警等原因出现刻蚀过程中断后,通过对当前已经刻蚀的时间和当前所处的刻蚀步骤进行查询,从而指定相应的补救方案,便于对需要再次刻蚀所需的时间进行计算。
2.通过将刻蚀的过程分为STABLE步骤、ME步骤和OE步骤三大步骤,通过对各个步骤所需的总时间进行设定,同时对每个步骤已经进行的时间进行采集,从而可以根据蓝宝石衬底所处的步骤阶段不同和时间的不同,确定最优的再刻蚀时间,从而可以有效提高加工产品的良品率。
3.在时间计算完毕后,通过将蓝宝石衬底利用补救方案再次导入到刻蚀机内进行再次刻蚀,从而可以避免蓝宝石衬底报废,从而提高产能,降低生产成本。
附图说明
图1是本发明提出的一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法的流程结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
下面详细描述本专利的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本专利,而不能理解为对本专利的限制。
在本专利的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利和简化描述,而不是限定所指的装置、结构或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利的限制。
在本专利的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解,例如,可以是固定相连、设置,也可以是可拆卸连接、设置,或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
实施例1:
一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法,如图1所示,包括以下步骤:
S1:当刻蚀机出现报警导致刻蚀过程中断后,对当前已刻蚀时间和当前已刻蚀所在步骤进行查明;
S2:对需要再次刻蚀的时间进行计算;
S3:将产品传入刻蚀机并使用S2步骤中计算的补救方案进行再次刻蚀;
S4:将完成再次刻蚀后的产品传出,完成整个刻蚀的过程。
实施例2:
一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法,如图1所示,包括以下步骤:
S1:当刻蚀机出现报警导致刻蚀过程中断后,对当前已刻蚀时间和当前已刻蚀所在步骤进行查明;
S2:对需要再次刻蚀的时间进行计算,所述再次刻蚀的时间单位为S;
S3:将产品传入刻蚀机并使用S2步骤中计算的补救方案进行再次刻蚀;
S4:将完成再次刻蚀后的产品传出,完成整个刻蚀的过程。
所述S1步骤中的已刻蚀时间和已刻蚀所在步骤利用刻蚀机内Data Log进行查询;
所述S2步骤中的再次刻蚀的时间单位为S。
所述蚀刻机刻蚀过程分为三大步骤,其包括:
1:STABLE步骤;所述STABLE步骤设定的总时间为T
2:ME步骤;设定ME步骤总时间为T
3:OE步骤;设定OE步骤总时间为T
所述S2步骤中的对再次刻蚀所需的时间进行计算,包括以下步骤:
S21:当处于STABLE步骤时,X
S22:当处于ME步骤时,若X
当处于ME步骤时,若(T
当处于ME步骤时,若(T
S23:当处于OE步骤时,若X
当处于OE步骤时,若(T
当处于OE步骤时,若(T
本实施例在使用时,当刻蚀机在加工的过程中出现异常导致报警时,蓝宝石衬底被刻蚀机传输出来后,通过对此时蓝宝石衬底所处的刻蚀步骤和已刻蚀时间,通过设定相应的标准后,对蓝宝石衬底需要再刻蚀所需的时间进行计算,利用计算后的时间将蓝宝石衬底再次输送到刻蚀机内进行再刻蚀,从而可以避免蓝宝石衬底报废,可以降低生产成本,从而有效提高产能。
实施例3:
一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法,如图1所示,包括以下步骤:
S1:当刻蚀机出现报警导致刻蚀过程中断后,对当前已刻蚀时间和当前已刻蚀所在步骤进行查明;
S2:对需要再次刻蚀的时间进行计算;
S3:将产品传入刻蚀机并使用S2步骤中计算的补救方案进行再次刻蚀;
S4:将完成再次刻蚀后的产品传出,完成整个刻蚀的过程。
所述S1步骤中的刻蚀机的刻蚀过程,包括以下步骤:
S11:将待刻蚀件利用传送设备传送到装载腔内;
S12:利用传输腔内的机械手将待刻蚀件送入到中转腔内进行中转;
S13:对加工工艺腔进行检测;
S14:利用机械手将待刻蚀件送入到加工工艺腔内进行刻蚀作业。
所述刻蚀机的刻蚀方式采用干法工艺进行刻蚀。
所述干法工艺刻蚀的步骤包括:
1:电流通入线圈产生磁场,磁场感应出电场;
2:工艺气体通入电场,电场加速电子,与工艺气体碰撞,使气体解离成电浆;
3:再利用下电极將离子往下拉去与光阻和衬底发生作用达到刻蚀效果。
以上所述,为本发明较佳的具体实施方式,但并非本发明唯一的具体实施方式,任何熟悉本领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内结合现有技术或公众常识,在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
机译: 一种通过等离子刻蚀衬底在集成半导体电路上生产多晶硅结构至1(μm)m面积的方法,该方法包括:
机译: 纳米元件,即催化剂纳米元件的一种实现方法,涉及在衬底的结构化表面上各向异性刻蚀纳米元件材料层,以在预定缝隙的水平上限定纳米元件的轮廓。
机译: 一种用于不同衬底的各向异性等离子体刻蚀的方法