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公开/公告号CN114739760A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-12
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉科技大学;
申请/专利号CN202210241290.3
发明设计人 胡斌;黄良慧;丁静;彭锐波;马利遥;
申请日2022-03-11
分类号G01N1/28;G01N1/36;
代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司;
代理人张晓冬
地址 430080 湖北省武汉市青山区和平大道947号
入库时间 2023-06-19 15:58:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-12
公开
发明专利申请公布
机译:名古屋大学等世界上首家仅使用CNT(碳纳米管)实现IC的产品。
机译:将所有碳集成电路(如梅黛热成型)开发为任意三维形状
机译:大规模,所有碳素IC开发 - 热成型到任何三维形状
机译:使用任意形状的光源高速渲染大气散射光