首页> 中国专利> 一种降低半导体器件焊接气孔率的方法

一种降低半导体器件焊接气孔率的方法

摘要

本发明属于半导体器件封装技术领域,为解决目前焊接气孔改进存在较大困难的问题,本发明提供了一种降低电子器件焊接气孔率的工艺方法,在半导体基体上增加Ni喷涂层后,采用回流焊工艺,解决了低成本锡膏回流焊接工艺中的焊接空洞问题,降低了半导体器件焊接气孔率。

著录项

  • 公开/公告号CN114613687A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州大和热磁电子有限公司;

    申请/专利号CN202111455819.3

  • 发明设计人 崔博然;翟仁爽;李明;杨驰;

    申请日2021-11-30

  • 分类号H01L21/60;H01L21/48;

  • 代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司;

  • 代理人郑汝珍

  • 地址 310051 浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号

  • 入库时间 2023-06-19 15:36:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-10

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号