一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：将基底清洗干净后烘干，然后于真空条件下用等离子体对基片进行预清理；在预清理后的基底表面沉积FeGaB磁致伸缩薄膜层，然后在FeGaB磁致伸缩薄膜层表面沉积Al2O3绝缘薄膜层；重复上述操作，制得FeGaB磁致伸缩薄膜层和Al2O3绝缘薄膜层交替设置的复合薄膜；对制得的复合薄膜进行蚀刻，制得磁致伸缩复合膜。该复合膜可有效解决现有的磁致伸缩复合膜存在的涡流损耗抑制效率低、磁致伸缩特性易退化的问题。