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公开/公告号CN112233711A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202010661904.4
发明设计人 U·迪温琴佐;
申请日2020-07-10
分类号G11C11/22(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 09:33:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-22
授权
发明专利权授予
机译: 具有用于测试铁电电容器的短寿命子电池检测器的铁电随机存取存储器以及用于测试铁电存储单元或电解的方法
机译: 具有这种连接结构的铁电随机存取存储器的连接方法及铁电随机存取存储器
机译: 用作随机存取存储器的非易失性铁电存储器,其中主单元布置成具有来自第一和第二部分字线的部分部分字线对的线,在单元阵列中进行读/写数据处理。
机译:基于ω形铁电栅极的碳纳米管铁电随机存取存储器单元
机译:两个横向晶体管合一单元架构中的可重写有机铁电随机存取存储器的概念
机译:用于存储器应用的外延生长铁电薄膜(铁电随机存取存储器)
机译:具有随机动态参考单元的增强可靠性的铁电随机存取存储器
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:电阻性随机存取存储器(RRAM):材料交换机制性能多层单元(mlc)存储建模和应用概述
机译:线单元相变随机存取存储器循环期间单元电阻,阈值电压和结晶温度的变化
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)