一种晶棒的制备方法和设备

摘要

本发明提供了一种晶棒制备的方法和设备，其通过在环形棒状的多晶半导体材料棒的圆心处的贯穿孔内部设置内部加热装置，同时将所述多晶半导体材料棒外部设置于外部加热线圈内部，提高了材料棒的受热均匀度，在所述单晶籽晶体和所述多晶半导体材料棒的第一端面之间产生熔融区；移动所述外部加热线圈和所述内部加热装置，所述熔融区随着所述外部加热线圈和所述内部加热装置移动，自所述半导体材料棒的所述第一端面向所述多晶半导体材料棒的与所述第一端面相对的第二端面移动，以完成结晶提高熔融区的均匀性。有助于实现大横截面积的材料棒的更均匀的熔化，同时通过调整所述内部加热装置的温度、位置、形状或长度，可进一步扩大了可制备晶体材料的选择范围，利于调整结晶速率，增加了控制待加工晶体的材料的结晶速率的手段。