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磁记录介质及其制造方法、以及磁记录再生装置

摘要

提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS2、六方BN、WS2、WSe2或石墨。第二种子层(4)包含具有六方纤锌矿型晶体结构的AlN。基底层(5)包含Ru。

著录项

  • 公开/公告号CN112185428A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工株式会社;

    申请/专利号CN202010578142.1

  • 发明设计人 长谷川浩太;东佑;

    申请日2020-06-23

  • 分类号G11B5/73(20060101);G11B5/84(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人褚瑶杨;庞东成

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 09:26:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    授权

    发明专利权授予

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