首页> 中国专利> 一种ZnS:Cu光学薄膜的制备方法

一种ZnS:Cu光学薄膜的制备方法

摘要

一种ZnS:Cu光学薄膜的制备方法,首先将分析纯的ZnCl

著录项

  • 公开/公告号CN101514470A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西科技大学;

    申请/专利号CN200910021217.X

  • 申请日2009-02-20

  • 分类号C25D9/08;

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人张震国

  • 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园陕西科技大学

  • 入库时间 2023-12-17 22:31:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D9/08 授权公告日:20101103 终止日期:20130220 申请日:20090220

    专利权的终止

  • 2010-11-03

    授权

    授权

  • 2009-10-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-08-26

    公开

    公开

说明书

技术领域:

本发明涉及一种ZnS:Cu材料的制备方法,具体涉及一种ZnS:Cu光学薄膜的制备方法。

背景技术

硫化锌(ZnS)是属于II~VI族化合物,具有高温变体α-ZnS(六方纤锌矿)和低温β-ZnS(立方闪锌矿)两种晶型。而纳米级的ZnS薄膜不仅能带宽度(E=3.7eV)远大于其体相材料,而且在实现光电器件的小型化、长寿命等方面更具应用价值,因此,它可以用于制造太阳能薄膜电池的缓冲层,阴极射线的磷光体、红外窗材料、颜料、电致发光装置、非线光学器件以及光催化剂等。

迄今为止,关于ZnS纳米颗粒的研究报道较多,而制备薄膜态的ZnS:Cu多采用水热法、微乳液法、微波辅助合成等方法,如陕西师范大学的慕春红等[慕春红,刘鹏,朱刚强等.无机化学学报,2007,23(5):844-848]采用水热法合成了粒径为10nm的立方相ZnS:Cu纳米粉体;张韵慧等[张韵慧,李磊等.材料工程,2001,1:31-33]采用微乳液法制备出的ZnS:Cu粒径只有3-5nm。Jayanthi,k.等[Jayanthi,k;Chawla,S;Chander,H,etc.CrystalResearch and Technology,2007,vol(42):976-982]在化学浴中,通过控制pH合成了ZnS:Cu薄膜。但是,到目前为止,电沉积法制备纳米ZnS:Cu薄膜的制备还未见报道。电沉积法制备薄膜可常温下进行、易于进行大面积沉积、易于调控薄膜的组成和厚度,具有操作简单、安全,环境友好等特点,前景广阔。

发明内容

本发明的目的是提出一种不仅制备成本低、环境友好,而且操作简单、反应周期短的ZnS:Cu光学薄膜的制备方法。

为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:

1)首先将分析纯的ZnCl2加入蒸馏水中,配制成Zn2+浓度为0.01mol/L~0.6mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;

2)然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Zn2+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶(2~10)∶1的摩尔比,所得溶液记为B;

3)向B溶液中加入摩尔分数为0.1%~1.5%的CuCl2试剂,搅拌下调节pH值为1.5~5.5,形成前驱物溶液,所得溶液记为C;

4)将C溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备ZnS:Cu薄膜;沉积电压为0.8~20V,沉积时间为2min~120min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得最终产物ZnS:Cu光学薄膜。

本发明采用电沉积法制备得到沿(200)晶面取向生长的ZnS:Cu光学薄膜薄膜。此方法设备简单,操作简便,无需昂贵的真空装置,可低成本高效的得到ZnS:Cu光学薄膜。

附图说明

图1为本发明制备的ZnS:Cu光学薄膜的X-射线衍射(XRD)图谱,其中横坐标为衍射角2θ,单位为o;纵坐标为衍射峰强度,单位为cps;

图2为本发明制备的ZnS:Cu光学薄膜的原子力显微镜(AFM)照片。

具体实施方式

实施例1:首先将分析纯的ZnCl2加入蒸馏水中,配制成Zn2+浓度为0.01mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Zn2+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶2∶1的摩尔比,所得溶液记为B;向B溶液中加入摩尔分数为0.1%的CuCl2试剂,搅拌下调节pH值为1.5,形成前驱物溶液,所得溶液记为C;将C溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备ZnS:Cu薄膜;沉积电压为3V,沉积时间为10min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得最终产物ZnS:Cu光学薄膜。

按实施例1的制备方法得到的ZnS:Cu薄膜用日本理学D/max2000PC X-射线衍射仪分析样品,发现产物为JCPDS编号为05-0566的闪锌矿结构ZnS(图1)具有(200)晶面的取向生长特性。将该样品用SPA400-SPI3800N型原子力显微镜对薄膜的表面显微结构(图2)进行观察,从照片可以看出所制备的薄膜表面呈现方形平板状ZnS晶粒,具有明显的取向生长特征。

实施例2:首先将分析纯的ZnCl2加入蒸馏水中,配制成Zn2+浓度为0.5mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Zn2+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶6∶1的摩尔比,所得溶液记为B;向B溶液中加入摩尔分数为0.3%的CuCl2试剂,搅拌下调节pH值为3.5,形成前驱物溶液,所得溶液记为C;将C溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备ZnS:Cu薄膜;沉积电压为10V,沉积时间为2min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得最终产物ZnS:Cu光学薄膜。

实施例3:首先将分析纯的ZnCl2加入蒸馏水中,配制成Zn2+浓度为0.4mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Zn2+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶10∶1的摩尔比,所得溶液记为B;向B溶液中加入摩尔分数为0.3%的CuCl2试剂,搅拌下调节pH值为4.5,形成前驱物溶液,所得溶液记为C;将C溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备ZnS:Cu薄膜;沉积电压为2V,沉积时间为30min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得最终产物ZnS:Cu光学薄膜。

实施例4:首先将分析纯的ZnCl2加入蒸馏水中,配制成Zn2+浓度为0.06mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Zn2+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶4∶1的摩尔比,所得溶液记为B;向B溶液中加入摩尔分数为1.2%的CuCl2试剂,搅拌下调节pH值为2.5,形成前驱物溶液,所得溶液记为C;将C溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备ZnS:Cu薄膜;沉积电压为0.8V,沉积时间为60min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得最终产物ZnS:Cu光学薄膜。

实施例5:首先将分析纯的ZnCl2加入蒸馏水中,配制成Zn2+浓度为0.2mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Zn2+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶8∶1的摩尔比,所得溶液记为B;向B溶液中加入摩尔分数为1.5%的CuCl2试剂,搅拌下调节pH值为5.5,形成前驱物溶液,所得溶液记为C;将C溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备ZnS:Cu薄膜;沉积电压为15V,沉积时间为90min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得最终产物ZnS:Cu光学薄膜。

实施例6:首先将分析纯的ZnCl2加入蒸馏水中,配制成Zn2+浓度为0.6mol/L的透明溶液,所得溶液记为A;然后,向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠,使得混合溶液中[Zn2+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]=1∶5∶1的摩尔比,所得溶液记为B;向B溶液中加入摩尔分数为0.8%的CuCl2试剂,搅拌下调节pH值为3,形成前驱物溶液,所得溶液记为C;将C溶液置于电沉积装置中,将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极,采用石墨为阳极,用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备ZnS:Cu薄膜;沉积电压为20V,沉积时间为120min,沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干,即得最终产物ZnS:Cu光学薄膜。

去获取专利,查看全文>

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号