保护性膜、具有该保护性膜的磁性记录介质、以及保护性膜的制备方法

摘要

本发明涉及保护性膜、具有该保护性膜的磁性记录介质、以及保护性膜的制备方法。本发明在降低保护性膜的膜厚度的同时改善保护性膜的持久性和耐腐蚀性，并提升保护性膜表面与润滑膜的粘结强度。本发明还提供具有保护性膜和优异电磁转换特性的磁性记录介质。用于磁性记录介质的保护性膜的特征在于含氟和氮。还提供了一种制备用于磁性记录介质的保护性膜的方法，该方法包括以下步骤：在含有基片和形成于基片顶面上的金属膜层的堆叠体顶面上形成保护性膜，以及在含氟气体和含氮气体中对所述保护性膜进行等离子体处理。

说明书

技术领域

本发明涉及保护性膜和具有保护性膜的磁性记录介质。

背景技术

在防滑元件或者抗摩擦元件上使用由各种材料制造的硬涂层作为涂层。已 知由碳制造的钻石样碳（DLC）可以作为所述硬涂层。由于DLC膜的优异表面 光滑度和高硬度，因此其适合作为表面涂层。通常由溅射法、等离子体CVD 法等制备DLC膜。

磁性记录介质通常包含由位于磁性记录层上的DLC膜构成的保护性膜， 所述DLC膜通过等离子体CVD法形成。形成保护性膜的目的在于保护磁性记 录层免受腐蚀以及由于磁头与磁性记录层的接触或者在其上的滑动所造成的 破坏。因此，为磁性记录介质提供了耐久和抗腐蚀功能。

近年来，磁性记录介质的记录方法已经从纵向记录法转变为能够增加记录 密度的垂直记录法。相对于纵向记录法，垂直记录法需要通过使磁性记录介质 的保护性膜尽可能得薄，从而维持良好的电磁转换特性以进一步增加记录密 度。

日本专利申请公开第2010-55680号提出了一种加工保护性膜的方法，该方 法使用烃类气体和氩气等离子体与氮气等离子体的等离子体CVD法形成所述 保护性膜，从而使得保护性膜较薄（专利文献1）。

日本专利申请公开第H8-129747号提出使用DLC膜/含氟DLC膜的层叠构 造作为磁性记录介质的保护性膜（专利文献2）。

除此之外，日本专利申请公开第H6-301969号提出通过使用惰性气体如 N₂或者基于氟化碳的气体（例如CF₄）对由碳基材料制造的保护性膜进行等离 子体后处理的步骤（专利文献3）。该处理改变了保护性膜在膜厚度方向上的 密度或者电阻，并增加了表面层的电阻和密度以降低保护性膜的膜厚度。

专利文献1：日本专利申请公开第2010-55680号。

专利文献2：日本专利申请公开第H8-129747号。

专利文献3：日本专利申请公开第H6-301969号。

不幸的是，这些常规技术难以在降低保护性膜的膜厚度的同时改善保护性 膜的持久性和耐腐蚀性，并提升保护性膜表面与润滑膜的粘结强度。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种膜厚度减少的保护性膜，该保护性膜具有改 善的耐久性和耐腐蚀性并提升了保护性膜表面与润滑膜的粘结强度，以及提供 具有所述保护性膜的磁性记录介质。本发明的另一个目的是提供具有保护性膜 和优异电磁转换特性的磁性记录介质。

根据本发明第一方面的用于磁性记录介质的保护性膜含有氟和氮。优选在 从保护性膜表面起到0.5nm深的区域内存在氟。还优选在从保护性膜表面起到 0.5nm深的区域内存在氮。优选地，保护性膜的膜厚度大于或等于1.7nm，但 是小于或等于2.3nm。所述保护性膜优选由无定形碳制造。优选地，加入的氟 的量为5至20原子%（原子百分比），加入的氮的量为5至20原子%。

根据本发明第二方面的磁性记录介质具有基片，位于所述基片上的金属膜 层以及位于所述金属膜层上的保护性膜，其中所述保护性膜是本发明第一方面 所述的保护性膜。可以在保护性膜上放置有润滑膜。优选地，润滑膜的膜厚度 大于或等于0.6nm，但是小于或等于1.0nm。

根据本发明第三方面的制备用于磁性记录介质的保护性膜的方法包括以 下步骤：在含有基片和形成于基片上的金属膜层的堆叠体上形成保护性膜的步 骤，以及在含氟气体和含氮气体中对所述保护性膜进行等离子体处理的步骤。

本发明可以在降低保护性膜的膜厚度的同时改善保护性膜的持久性和耐 腐蚀性，并提升保护性膜表面与润滑膜的粘结强度。此外，具有所述保护性膜 的磁性记录介质可以实现优异的电子转换特性。通过向从保护性膜表面起到 0.5nm深的区域内加入氟可以得到更好的耐久性和耐腐蚀性。当在保护性膜的 表面上设置润滑膜时，通过向从保护性膜表面起到0.5nm深的区域内加入氮可 以防止润滑膜从保护性膜的表面脱落。将保护性膜的膜厚度设定为大于或等于 1.7nm但是小于或等于2.3nm可以消除对于磁头的空号损失。因而可以实现优 异的电磁转换特性、耐久性和耐腐蚀性。通过以5至20原子%的量加入氟和氮 可以实现优异的耐久性和耐腐蚀性。将润滑膜放置于保护性膜上并将其厚度设 定为大于或等于0.6nm但是小于或等于1.0nm可以消除对于磁头的空号损失， 并实现优异的电磁转换特性和耐久性。

根据本发明，氟改善了保护性膜表面的耐久性和耐腐蚀性，氮提升了保护 性膜表面与润滑膜的粘结强度。本发明的发明人发现，通过存在于保护性膜表 面附近，可以同时实现氟对于改善保护性膜表面的耐久性和耐腐蚀性以及氮对 于提升保护性膜表面的粘结强度的有益效果。本发明的发明人发现，在对保护 性膜进行气体等离子体处理时同时使用含氟气体和含氮气体可以维持保护性 膜的耐久性和耐腐蚀性以及保护性膜对于润滑膜的抗脱落特性。通常难以在保 护性膜的气体等离子体处理时同时使用含氟气体和含氮气体的原因在于同时 使用含氟气体和含氮气体会降低氟的有益作用或者氮的有益作用。当在保护性 膜的气体等离子体处理时同时使用含氟气体和含氮气体时，要特别考虑对气体 等离子体处理条件进行优化。

附图说明

图1显示了保护性膜的耐久性与润滑膜的膜厚度的关系；以及

图2显示了保护性膜的耐腐蚀性与DLC膜的膜厚度的关系。

实施本发明的方式

在实施本发明的一个实施方式中，优选通过使用等离子体CVD法由无定 形碳形成保护性膜，所述等离子体CVD法使用烃类气体作为源材料。所述无 定形碳优选是DLC。本文可用的烃类气体的例子包括乙烯、乙炔、甲烷和苯。 作为下文所述的等离子体处理的结果，本发明的保护性膜除了无定形碳之外还 含有氟和氮作为主要组分。在下文所述的实施例中，形成了DLC膜作为保护 性膜，使用等离子体CVD装置用于形成DLC膜。

通过将金属膜层堆叠到基片上形成了膜成形基片，在该膜成形基片上形成 了保护性膜。所述形成于基片上的金属膜层至少包含磁性记录层。所述金属膜 层可任选地包含非磁性底层、软磁性层、晶种层、中间层以及位于磁性记录层 和基片之间的其他层。下文所述的实施例中使用膜成形基片，通过在直径为 95mm、厚度为1.75mm的铝基片上形成底层、中间层和磁性记录层得到所述膜 成形基片。

基片优选是非磁性的，并且可以由用于制备磁性记录介质的任意常规材料 制造。所述基片可以由例如镀Ni-P铝合金、玻璃、陶瓷、塑料或者硅制得。

可以使用铁磁性材料，例如至少含Co和Pt的合金制备磁性记录层。需要 使铁磁性材料的易磁化轴朝向进行磁性记录的方向取向。例如，当进行垂直磁 性记录时，磁性记录层材料的易磁化轴（具有六边形最密集包装（hcp）结构的 c轴）需要垂直于记录介质表面（即基片主平面）的方向取向。

还优选使用具有粒状结构的材料用于形成由单层或多层构成的垂直磁性 记录层。粒状结构具有分散于非磁性氧化物基质或者非磁性氮化物基质中的磁 性晶体颗粒。本文所使用的具有粒状结构的材料的例子包括但不限于， CoPt-SiO₂、CoCrPtO、CoCrPt-SiO₂、CoCrPt-TiO₂、CoCrPt-Al₂O₃、CoPt-AlN 以及CoCrPt-Si₃N₄。在本发明中，使用具有粒状结构的材料可以促进垂直磁性 记录层中相邻磁性晶体颗粒之间的磁性分离。作为结果，可以降噪并且可以提 升介质的特性，例如SNR和记录分辨率。

可以使用Ti或者含Cr的非磁性材料，例如CrTi合金来形成所述可任选提 供的非磁性底层。

可以使用晶体材料如FeTaC或山达斯特（FeSiAl）合金，微晶材料如FeTaC、 CoFeNi或CoNiP，或者包括Co合金，例如CoZrNd、CoZrNb或CoTaZr的无 定形材料来形成所述可任选提供的软磁性层。所述软磁性层的功能是将磁头产 生的垂直磁场压缩到垂直磁性记录介质的磁性记录层中。软磁性层的膜厚度的 最优值根据用于进行记录的磁头的结构或者特性的变化而改变。通常，出于生 产率方面的考虑，所述软磁性层的膜厚度优选大于或等于约10nm但是小于或 等于500nm。

使用坡莫合金材料例如NiFeAl、NiFeSi、NiFeNb、NiFeB、NiFeNbB、NiFeMo 或NiFeCr，通过向坡莫合金材料加入Co得到的材料，例如CoNiFe、CoNiFeSi、 CoNiFeB或CoNiFeNb，Co，或者Co基合金，例如CoB、CoSi、CoNi或CoFe 来形成所述可任选提供的晶种层。优选地，所述晶种层的厚度足以对磁性记录 层的晶体结构进行控制，通常其膜厚度至少为3nm但是不超过50nm。

使用Ru或者主要含Ru的合金形成所述可任选提供的中间层。优选地，所 述中间层的膜厚度通常至少为0.1nm但是不超过20nm。在此范围内的膜厚度 可以为磁性记录层提供实现高密度记录所需的特性，而不会使得磁性记录层的 磁性特性或者电磁转换特性发生退化。

可以使用本技术领域已知的任意方法，例如溅射法（DC磁控管溅射法、 RF磁控管溅射法等）或者真空蒸发法来形成所述非磁性底层、软磁性层、晶种 层、中间层以及磁性记录层。

可以使用等离子体CVD法来形成保护性膜。用于产生等离子体的能量可 以使用电容耦合系统或者电感耦合系统提供。供给的能量可以是DC电源、HF 电源（频率：数十至数百kHz）、RF电源（频率：13.56MHz、27.12MHz、40.68 MHz等）、或者微波（频率：2.45GHz）等。可以使用平行板型设备、丝型设 备、ECR等离子体产生器或者螺旋波等离子体产生器等作为产生等离子体的设 备。在本发明中，优选使用丝型等离子体CVD设备。在下文所述的实施例中， 通过使用丝型等离子体CVD设备，向阴极丝输送预定电流使热电子放电，同 时将乙烯气体引入设备以产生乙烯等离子体。

可以向基片和用作膜成形基片的金属膜层堆叠体施加偏压，以促进DLC 膜的沉积。例如，可以向膜成形基片施加-40至-120V的电压。在下文所述的实 施例中，通过基材偏压的方式将沉积物质牵拉到膜成形基片，以形成DLC膜。 在此情况下，阳极电势为+60V，基片偏压为-120V。

优选地，保护性膜的膜厚度大于或等于1.7nm，但是小于或等于2.3nm。 保护性膜的膜厚度小于1.7nm会使得保护性膜的耐久性和耐腐蚀性下降。保护 性膜的膜厚度超过2.3nm会增加磁头的空号损失并使得电磁转换特性下降。

氟基气体例如四氟甲烷气体或者六氟乙烷气体可以用作含氟气体以用于 将氟引入到保护性膜中。含氟气体可以是纯的氟基气体或者氟基气体与其他气 体的混合气体。在此情况下，所述其他气体的例子包括氦气、氖气、氩气和其 他惰性气体。

用于将氮引入保护性膜的含氮气体可以是纯的氮气或者氮气与其他气体 的混合气体。在此情况下，所述其他气体的例子包括氦气、氖气、氩气和其他 惰性气体。

可以使用等离子体产生装置将氟和氮引入保护性膜。用于产生等离子体的 供电系统和设备以及供给的能量可以与用于形成保护性膜的那些相同。例如， 可以使用与用于形成保护性膜的等离子体CVD设备相同类型的另一个等离子 体CVD设备。或者，替换用于形成保护性膜的等离子体CVD设备内的气体， 可以通过使用所述用于形成保护性膜的等离子体CVD设备实现将氟和氮引入 保护性膜。

优选在从保护性膜表面起到0.5nm深的区域内存在氟。当氟存在于从保护 性膜表面起到超过0.5nm深的区域时，保护性膜的表面与润滑膜之间的粘结变 差，所以不是优选的。基于等离子体加工步骤采用的等离子体加工时间段控制 存在氟的区域的深度。等离子体加工时间段优选在0.5至2.0秒的范围内。

优选在从保护性膜表面起到0.5nm深的区域内存在氮。当氮存在于从保护 性膜表面起到超过0.5nm深的区域中时，保护性膜耐腐蚀性变差，所以不是优 选的。基于等离子体加工步骤采用的等离子体加工时间段控制存在氮的区域的 深度。等离子体加工时间段优选在0.5至2.0秒的范围内。

参照保护性膜中的原子总数，优选分别以5至20原子%的量加入氮和氟。 当氮的加入量小于5原子%时，保护性膜表面和润滑膜之间的粘结变差，所以 不是优选的。当氮的加入量超过20原子%时，保护性膜的耐腐蚀性变差，所以 不是优选的。当氟的加入量小于5原子%时，保护性膜的耐久性和耐腐蚀性变 差，所以不是优选的。当氟的加入量超过20原子%时，保护性膜表面和润滑膜 之间的粘结变差，所以不是优选的。

优选地，将润滑膜置于保护性膜上，所述润滑膜的膜厚度大于或等于 0.6nm，但是小于或等于1.0nm。润滑膜的膜厚度小于0.6nm会使得保护性膜的 耐久性下降。润滑膜的膜厚度超过1.0nm会增加磁头的空号损失并使得电磁转 换特性下降。

当四氟甲烷气体用作含氟气体时，四氟甲烷气体的流速优选为20sccm至 100sccm，从而保持稳定放电。当纯氮气用作含氮气体时，氮气的流速优选为 20sccm至100sccm，从而保持稳定放电。

优选地，在同时存在含氟气体和含氮气体的情况下对保护性膜进行等离子 体处理。这是因为可以在短的等离子体处理时间段内分别通过氟和氮提升保护 性膜的耐久性和耐腐蚀性，以及保护性膜表面与润滑膜之间的粘结。此外，上 述等离子体处理可以增加单位时间内要形成的磁性记录介质的数量。还优选保 护性膜在含氟气体中进行等离子体处理，之后所述保护性膜在含氮气体中进行 等离子体处理。这是因为可以分别通过氟和氮显著提升保护性膜的耐久性和耐 腐蚀性，以及保护性膜表面与润滑膜之间的粘结。

本发明的特征在于从保护性膜（优选为DLC膜）表面起到0.5nm深的区 域内同时含有氟和氮。氟具有提升保护性膜的耐久性和耐腐蚀性的作用。氮具 有确保保护性膜表面与润滑膜之间的粘结的作用。在下文所述实施例中，通过 参照比较例来说明由于缺乏氟或氮导致的保护性膜的性能的下降。

实施例

（实施例1）

首先，在直径为95mm、厚度为1.75mm的铝基片上依次堆叠底层、中间 层和磁性记录层，形成膜成形基片。所述底层由CoZrNb制得，膜厚度为40nm。 所述中间层由Ru制得，膜厚度为15nm。所述磁性记录层由CoCrPt-SiO₂制得， 膜厚度为15nm。

将得到的膜成形基片安装在丝型等离子体CVD设备的膜成形室中。以40 sccm的流速将乙烯气体引入膜成形室。在阴极丝和阳极之间施加180V的DC 电源。热电子从阴极丝放电，产生乙烯等离子体。膜成形室内的压力为0.53Pa。 向膜成形基片施加-120V的偏压（相对于大地），使得DLC膜沉积在其上。阳 极的电势为+60V。在乙烯气体流速为40sccm，放射电流为0.50A的情况下， 调节膜成形时间，形成膜厚度为2.2nm的DLC膜。

在与上述等离子体CVD设备相同类型的另一个等离子体CVD设备中，在 氮气流速为50sccm、四氟甲烷气体流速为40sccm以及处理时间为1.0秒的情 况下，对DLC膜的表面进行氮化和氟化。

使用XRF（X射线荧光）测定DLC膜的膜厚度。使用XPS（X射线光电 子分光光度法）测定DLC膜的组成和深度分布。在从DLC膜表面起到深约 0.4nm的区域内存在主要由碳、氢、氟和氮组成的DLC膜。DLC膜的膜厚度 仍为2.2nm。氟的加入量为10原子%。氮的加入量为10原子%。

使用浸涂法对通过如上所述方式得到的保护性膜施涂主要含全氟聚醚的 液态润滑剂，以形成膜厚度为0.9nm的润滑膜。

以预定的负载和预定的线速度使直径为2mm的AlTiC球在如上所述方式 制备的样品上滑动，以测定需要将所述AlTiC球滑动多少次直至保护性膜破裂。 对于本实施例的该样品，保护性膜的破裂需要滑动320次的大量计数。该结果 表明本实施例的样品具有优异的耐久性。

将预定浓度的硝酸水溶液滴在以如上所述方式制备的样品上然后萃取，通 过ICP-MS（电感偶合等离子质谱）方法测定Co的洗脱量。本实施例的样品中 Co的洗脱量低至0.012ng/cm²。该结果表明本实施例的样品具有优异的耐腐蚀 性。

（实施例2）

如实施例1相同的方式形成膜厚度为2.2nm的保护性膜。如实施例1相同 的方式对DLC膜的表面进行氮化和氟化。调节浸涂法的拉制速度，对保护性 膜施涂主要含全氟聚醚的液态润滑剂，以形成膜厚度为0.8nm和0.7nm的润滑 膜。

以预定的负载和预定的线速度使直径为2mm的AlTiC球在如上所述方式 制备的各样品上滑动，以测定需要将所述AlTiC球滑动多少次直至保护性膜破 裂。对于本实施例的这些样品，保护性膜的破裂需要分别滑动280次和260次 的大量计数。该结果表明本实施例的样品具有优异的耐久性。

（实施例3）

使用与实施例1相同的方法，调节膜成形时间，形成膜厚度为2.0nm和 1.8nm的DLC膜。如实施例1相同的方式分别对各个DLC膜的表面进行氮化 和氟化。氟的加入量为10原子%。氮的加入量为10原子%。

使用浸涂法对通过如上所述方式得到的保护性膜施涂主要含全氟聚醚的 液态润滑剂，以形成膜厚度为0.9nm的润滑膜。

将预定浓度的硝酸水溶液滴在以如上所述方式制备的样品上然后萃取，通 过ICP-MS法测定Co的洗脱量。本实施例的样品中Co的洗脱量分别低至0.017 ng/cm²和0.025ng/cm²。该结果表明本实施例的样品具有优异的耐腐蚀性。

（比较例1）

使用与实施例1相同的方法，在四氟甲烷气体的流速为0sccm、氮气流速 为50sccm的情况下形成样品。DLC膜的膜厚度为2.2nm。润滑膜的膜厚度为 0.9nm。

使用XRF测定DLC膜的膜厚度。使用XPS测定DLC膜的组成和深度分 布。DLC膜主要由存在于从表面起到深约0.4nm的区域内的碳、氢和氮组成， 但是不含氟。氮的加入量为13原子%。

以预定的负载和预定的线速度使直径为2mm的AlTiC球在如上所述方式 制备的样品上滑动，以测定需要将所述AlTiC球滑动多少次直至保护性膜破裂。 对于本比较例的该样品，保护性膜的破裂需要滑动220次的少量计数。该结果 表明本对比例的样品的耐久性差。

将预定浓度的硝酸水溶液滴在以如上所述方式制备的样品上然后萃取，通 过ICP-MS法测定Co的洗脱量。本比较例的样品中Co的洗脱量高至0.034 ng/cm²。该结果表明本比较例的样品的耐腐蚀性差。

（比较例2）

调节浸涂法的拉制速度，对膜厚度为2.2nm的保护性膜施涂主要含全氟聚 醚的液态润滑剂，以形成膜厚度为0.8nm和0.7nm的润滑膜，所述保护性膜以 与比较例1相同的方式制备。

以预定的负载和预定的线速度使直径为2mm的AlTiC球在如上所述方式 制备的各样品上滑动，以测定需要将所述AlTiC球滑动多少次直至保护性膜破 裂。对于本比较例的这些样品，保护性膜的破裂分别需要滑动190次和170次 的少量计数。该结果表明本对比例的样品的耐久性差。

（比较例3）

使用与比较例1相同的方法，调节膜成形时间，形成膜厚度为2.0nm和 1.8nm的DLC膜。氮的加入量为13原子%。

使用浸涂法对通过如上所述方式得到的保护性膜施涂主要含全氟聚醚的 液态润滑剂，以形成膜厚度为0.9nm的润滑膜。

将预定浓度的硝酸水溶液滴在以如上所述方式制备的样品上然后萃取，通 过ICP-MS法测定Co的洗脱量。本比较例的样品中Co的洗脱量分别高至0.040 ng/cm²和0.055ng/cm²。该结果表明本比较例的样品的耐腐蚀性差。

（比较例4）

重复比较例1的步骤制备样品，不同之处在于润滑膜的膜厚度设定为 1.2nm。保护性膜的膜厚度为2.2nm。

对于本比较例的该样品，AlTiC滑动360次直至保护性膜破裂。该结果表 明本比较例的样品具有优异的耐久性。但是，由于增加了磁头的空号损失，电 磁转化特性变差。

（比较例5）

重复比较例1的步骤制备样品，不同之处在于DLC膜的膜厚度设定为 2.5nm。润滑膜的膜厚度为0.9nm。氮的加入量为13原子%。

本比较例的样品中Co的洗脱量为0.028ng/cm²。该结果表明本比较例的样 品具有优异的耐腐蚀性。但是，由于增加了磁头的空号损失，电磁转化特性变 差。

（比较例6）

使用与实施例1相同的方法，在氮气流速为0sccm、四氟甲烷气体流速为 40sccm、处理时间段为1.0秒的情况下制备其DLC膜表面被氟化的样品。DLC 膜的膜厚度为2.2nm。润滑膜的膜厚度为0.9nm。氟的加入量为13原子%。

以预定的负载和预定的线速度使直径为2mm的AlTiC球在如上所述方式 制备的样品上滑动，以测定需要将所述AlTiC球滑动多少次直至保护性膜破裂。 对于本比较例的该样品，保护性膜的破裂需要滑动240次的少量计数。该结果 表明本对比例的样品的耐久性差。认为这是由于在DLC膜表面缺乏氮使得润 滑膜容易脱落所导致的。

（参照例1）

通过重复实施例1的步骤制备样品，不同之处在于润滑膜的膜厚度设定为 1.2nm。保护性膜的膜厚度为2.2nm。

对于本参照例的该样品，AlTiC滑动530次直至保护性膜破裂。该结果表 明本参照例的样品具有优异的耐久性。但是，由于增加了磁头的空号损失，电 磁转化特性变差。

（参照例2）

通过重复实施例1的步骤制备样品，不同之处在于DLC膜的膜厚度为 2.5nm。润滑膜的膜厚度为0.9nm。氟的加入量为10原子%。氮的加入量为10 原子%。

本参照例的样品中Co的洗脱量为0.008ng/cm²。该结果表明本参照例的样 品具有优异的耐腐蚀性。但是，由于增加了磁头的空号损失，电磁转化特性变 差。

表1显示在实施例1和2、比较例1、2、4和6以及参照例1中AlTiC球 滑动的次数及其评价。表2显示实施例1和3、比较例1、3和5以及参照例2 中获得的Co洗脱量及其评价。

[表1]

表2

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.（修改后）一种用于磁性记录介质的保护性膜，其特征在于，该保护性 膜含有氟和氮，所述氟存在于从保护性膜的表面起到0.5nm深的区域中，所述 氮存在于从保护性膜的表面起到0.5nm深的区域中，并且所述保护性膜由无定 形碳制备。

2.（删除）

3.（删除）

4.如权利要求1所述的保护性膜，其特征在于，所述保护性膜的膜厚度大 于或等于1.7nm但是小于或等于2.3nm。

5.（删除）

6.如权利要求1所述的保护性膜，其特征在于，所述氟和氮的加入量分别 为5至20原子%。

7.一种磁性记录介质，其包含基片、位于所述基片上的金属膜层、以及位 于所述金属膜层上的保护性膜，其特征在于，所述保护性膜是权利要求1所述 的保护性膜。

8.如权利要求7所述的磁性记录介质，其特征在于，在所述保护性膜上放 置有润滑膜，该润滑膜的膜厚度大于或等于0.6nm但是小于或等于1.0nm。

9.一种制备用于磁性记录介质的保护性膜的方法，该方法包括以下步骤：

在堆叠体上形成保护性膜的步骤，所述堆叠体含有基片和形成于所述基片 上的金属膜层；以及

在含氟气体和含氮气体中对所述保护性膜进行等离子体处理的步骤。