机译:错误:“从植入加州-252点和线源的计算中子剂量率和助焊剂密度”Med。物理。 3,241(1976)
机译:错误:“EGS EGS NRC Monte Carlo的实验验证在聚苯乙烯幻像中的实际平行磁场内计算的深度剂量”[MED。 物理。 Vol 44(9),4804 - 4815(2017)]
机译:对“关于'实验确定两种不同类型的高强度252Cf源周围的热中子通量的评论'”的回应(Med。Phys。26,2037-2038(1999))(函)
机译:关于“实验确定两种不同类型的高强度252Cf源周围的热中子通量”的评论(Med。Phys。26,83-86(1999))(函)
机译:包含加州252中子源和三个中子探测器的薄型随钻测井密度/中子仪器的现场实例
机译:离子通量(剂量率)在10 nm节点FinFET上的源漏扩展离子注入中的作用以及在300 / 450mm平台上的影响
机译:勘误表:现代瓦里安西门子和埃莱克塔的次级中子光谱带有多叶准直器的直线加速器 Med。物理36(9)4027-4038(2009)
机译:错误:“EGSNRC Monte Carlo在聚苯乙烯幻像中的实际平行磁场内计算深度剂量的实验验证”MED。物理。 Vol 44(9),4804 - 4815(2017)