机译:通过优化前体薄膜的退火温度,具有10%效率的Cu2zNSN(SE,SE)4伏的制造
机译:通过优化前体膜的退火温度,用10%效率制造Cu2Znsn(SE)(4)光伏器件的制造
机译:通过优化前驱膜的退火温度以10%的效率制备Cu 2 sub> ZnSn(S,Se) 4 sub>光电器件
机译:从官能化烷基前体的低温等离子体增强原子层沉积锡(IV)氧化物:基于SnO2的薄膜晶体管器件的制造和评估
机译:一种用于制备高效薄膜CISSe / CIGSSe装置的胺-硫醇分子前体的新方法
机译:通过对电沉积前体进行氢化硫属元素化制备Cu2ZnSn(S,Se)4光伏吸收体。
机译:在各种退火温度下用球磨纳米粒子油墨制备Cu2ZnSnS4薄膜
机译:低温快速热退火制备高L10级FePt薄膜