机译:具有周期性碳掺杂GaN缓冲层的AlGaN / GaN HEMT的1 / f噪声特性
机译:具有周期性碳掺杂GaN缓冲层的AlGaN / GaN HEMT的1 / f噪声特性
机译:掺Fe或无意掺杂GaN缓冲层的MOCVD在SiC上生长的AlGaN / GaN HEMT的直流和微波性能的比较
机译:GaN衬底与无C掺杂GaN缓冲层的GaN衬底侧栅调制响应的比较
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应