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机译:阱保护层作为增加铟成分的新途径:从蓝色InGaN / GaN多量子阱向绿色发射的途径
机译:阱保护层作为增加铟成分的新途径:从蓝色InGaN / GaN多量子阱向绿色发射的途径
机译:阻挡层铟对有和没有半固态InGaN缓冲层的InGaN多量子阱(MQW)的效率和波长的影响,用于蓝绿色发射
机译:预应变InGaN中间层中的铟组成对激光二极管结构中InGaN / GaN多量子阱的应变弛豫的影响
机译:具有不同保护层的Ingan / GaN多量子阱的排放性能和热退火
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:渐变铟组合物P型Ingan层的甘油基绿光二极管量子效率提高
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。