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机译:静电掺杂对纳米线载体浓度和移动性的影响
Scuola Normale Super Pisa NEST Piazza S Silvestro 12 I-56127 Pisa Italy;
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Univ Pisa Dipartimento Farm Via Bonanno 33 I-56126 Pisa Italy;
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electrolyte gating; electrostatic doping; transport; electric double layer; semiconductor nanowire; electron density; electron mobility;
机译:使用塞贝克系数确定InAs纳米线中的载流子浓度,迁移率和弛豫时间
机译:掺杂硅的InAs纳米线的载流子浓度依赖性光致发光特性
机译:具有金属触点的单个ZnO纳米线中随温度变化的固有载流子迁移率和载流子浓度
机译:快速热退火和氢化对固相结晶多Si薄膜掺杂浓度和载流子迁移的影响
机译:新型的神经葡萄糖浓度传感器,基于酶荧光薄膜在静电载体上逐层组装在纳米颗粒载体上制成。
机译:InAs纳米线中电子气体的特征是由纳米线的几何形状掺杂和表面状态之间的相互作用所引起的
机译:纳米线无接触的高迁移率载流子传输 晶体管
机译:铍掺杂Inas / Inassb应变层超晶格中的少数载流子寿命。