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机译:通过在铁电HF0.5ZR0.5O2电介质上通过氟离子处理改进MOS2负电容晶体管的亚阈值摆动
Huazhong Univ Sci &
Technol Sch Opt &
Elect Informat Wuhan 430074 Peoples R China;
Huazhong Univ Sci &
Technol Sch Opt &
Elect Informat Wuhan 430074 Peoples R China;
Huazhong Univ Sci &
Technol Sch Opt &
Elect Informat Wuhan 430074 Peoples R China;
Univ Hong Kong Dept Elect &
Elect Engn Pokfulam Rd Hong Kong Peoples R China;
negative-capacitance field-effect transistor (NCFET); molybdenum disulfide (MoS2); subthreshold swing; hafnium zirconium oxide (Hf0.5Zr0 .5O2; HZO); fluorine plasma;
机译:近乎理想的亚阈值摆动MOS2背栅晶体管,具有优化的超薄HFO2介电层
机译:通过使用大介电常数栅极电介质接近薄膜晶体管的亚阈值摆动极限
机译:通过使用大介电常数栅极电介质接近薄膜晶体管的亚阈值摆动极限
机译:栅极叠层设计对改善铁电栅极场效应晶体管的亚阈值摆幅行为的影响
机译:利用膦酸酯单层处理的栅极电介质的改进的有机薄膜晶体管。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:具有单轴铁电栅极绝缘子的负电容场效应晶体管的装置模拟
机译:基于脱氧核糖核酸(DNa)栅介质的生物有机半导体场效应晶体管(BioFET)