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机译:核心壳GAN / ALN纳米线的共振拉曼散射
Univ Valencia Inst Mat Sci ICMUV POB 22085 E-46071 Valencia Spain;
Univ Valencia Inst Mat Sci ICMUV POB 22085 E-46071 Valencia Spain;
Univ Grenoble Alpes CEA IRIG PHELIQS 17 Ave Martyrs F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA IRIG PHELIQS 17 Ave Martyrs F-38000 Grenoble France;
CNRS CEMES 29 Rue J Marvig BP 94347 F-31055 Toulouse France;
CNRS CEMES 29 Rue J Marvig BP 94347 F-31055 Toulouse France;
CNRS CEMES 29 Rue J Marvig BP 94347 F-31055 Toulouse France;
nitride semiconductors; Raman scattering; ultraviolet; coreamp; 8211; shell nanowires; uniaxial strain;
机译:单个GaN / AIN纳米线中的双应变状态:通过紫外线共振拉曼散射探测核-壳效应
机译:GaN / AlN核-壳纳米线的紫外拉曼光谱:核,壳和界面模式
机译:通过共振拉曼散射评估GaN / AlN量子点中的应变:封盖效应
机译:由电场和谐振拉曼散射在GaN / AlN三角量子井中诱导的热和冷子
机译:使用室温共振拉曼散射探测碲化镉自组装量子点和硫化镉纳米线中的电子和振动态。
机译:非共振米氏散射:核-壳聚合物纳米线的新兴光学性质
机译:单个GaN / AlN纳米线中的双应变状态:通过紫外共振拉曼散射探测核-壳效应
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。