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机译:用原子层沉积制备的未掺杂HFO2薄膜的金属铁电 - 绝缘体 - 绝缘栅极堆氧化物栅电极对铁电场效应晶体管的影响
Kyung Hee Univ Dept Adv Mat Engn Informat &
Elect Yongin 17104 Gyeonggi Do South Korea;
Elect &
Telecommun Res Inst Daejeon 34129 South Korea;
Kyung Hee Univ Dept Adv Mat Engn Informat &
Elect Yongin 17104 Gyeonggi Do South Korea;
oxide electrode; interface; ferroelectric; field-effect transistor; MFMIS; undoped HfO2;
机译:使用Al-掺杂的HFO2薄膜的金属 - 铁电 - 绝缘子 - 半导体栅极叠层的铁电场效应存储器晶体管的长期和高温保留稳定性的改进
机译:用原子层沉积制备的HFO2栅极绝缘体氧化剂对In-Zn-O薄膜晶体管偏置应力稳定性的影响
机译:通过原子层沉积制备的未掺杂HFO2薄膜的膜厚度依赖性铁电偏振切换动力学
机译:HFO2栅极绝缘子的原子层沉积温度对IN-GA-ZN-O薄膜晶体管的装置性能的影响
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:通过原子层沉积和Ti盖退火制备的高k(k = 40)HFO2栅极堆叠的极其缩放的等效氧化物厚度
机译:表征金属掺杂酞菁薄膜的灵敏度,选择性和可逆性,与交叉栅极电极场效应晶体管(IGEFET)一起检测有机磷化合物和二氧化氮