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机译:传导特性对SiC光电导半导体开关补偿型和晶格结构的依赖性
Shandong Univ Inst Novel Semicond Jinan 250100 Shandong Peoples R China;
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China Acad Engn Phys Inst Fluid Phys Mianyang 621900 Sichuan Peoples R China;
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机译:在应用氧化物场校正后,利用跨金属氧化物半导体结构的Fowler-Nordheim隧穿特性确定SiO_2和SiC导带偏移中的空穴有效质量
机译:SiO_2 / SiO_x / 3C-SiC / n型硅非易失性存储器的氧化物结构对其存储器操作特性的依赖性
机译:Au / n型GaAs金属半导体结构中的温度和电压依赖性C-VAND G /ω-V特性和负电容源
机译:2D有限差分仿真,研究了4H-SiC光电导半导体开关的高压阻塞特性
机译:基于数值模拟的脉冲功率应用4H-SiC光电导开关的评估。
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:高压光电导电开关使用半绝缘,钒掺杂6H-SIC
机译:半导体Gaas光电导开关的高电压响应持续光电导,丝传导和光脉冲定位的仿真研究。