Рассмотрен общий случай отражения света от кристалла произвольной симметрии в приближении слабой анизотропии. Получена зависимость компонент матрицы отражения от кристалла c произ-вольным тензором диэлектрической проницаемости в случае малых анизотропных поправок. Про-водится анализ измерения компонент матрицы отражения и возможности последующего нахождения компонент тензора диэлектрической проницаемости при проведении измерений при различных ориентациях кристалла c привлечением эллипсометрического эксперимента. Показано, как предлагаемый метод может быть использован для определения характеристик одноосных и двуос-ных кристаллов при произвольной ориентации оптических осей.
展开▼
