...
机译:CdS_xSe_(1-x)薄膜的光电化学性质
Electrochemical Materials Science Division, Central Electrochemical Research Institute, Karaikudi 630 006, India;
Dept. of Physics, CIT, Coimbatore, India;
Dept. of Physics, CIT, Coimbatore, India;
Dept. of Humanities and Sciences, RVS College of Engg., Coimbatore, India;
Dept. of Physics, Avinashilingam University, Coimbatore, India;
II-VI; Thin films; pulse electrodeposition; CdS_xSe_(1-x);
机译:从反射光谱确定CdS_xSe_(1-x)厚膜的光学性质
机译:通过硬辐射和纳米结构改性CdS_xSe_(1-x)薄膜的电性能
机译:成分优化的TiO_2 / CdS_xSe_(1-x)核/壳纳米线阵列用于光电化学制氢
机译:氢等离子体处理对多晶Cds_xSe_(1-x)膜电性能的影响
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:CoFe2O4纳米结构薄膜中的低场磁可调谐光电流可增强光电化学性能
机译:5. CdS_xSe_ <1-x>超细颗粒在玻璃中的发光和吸收(名古屋大学应用物理学系,硕士论文/摘要(1987年),第2部分)
机译:薄膜Ga(x)In(1-x)as和Gaas(x)sb(1-x)合金薄膜的制备与性能。