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机译:多结太阳能电池的带隙可能在冬至结束时的太阳高度确定
Toyota Technol Inst, Tempaku Ku, 2-12-1 Hisakata, Nagoya, Aichi 4688511, Japan;
Toyota Technol Inst, Tempaku Ku, 2-12-1 Hisakata, Nagoya, Aichi 4688511, Japan;
Toyota Technol Inst, Tempaku Ku, 2-12-1 Hisakata, Nagoya, Aichi 4688511, Japan;
Spectrum; Multi-junction cell; Optimization of bandgap; Atmospheric conditions;
机译:在多结太阳能电池顶部电池的透明导电氧化物涂层衬底上制造的宽带隙Cu2ZnSn1-xGexS4
机译:宽带隙p型纳米晶体氧化硅作为高性能薄膜硅多结太阳能电池的窗口层
机译:多结电池:Fraunhofer ISE的硅多结太阳能电池效率达到30.2%
机译:关于利用冬至至高的太阳高度进行带隙设计的建议
机译:使用纳米结构的多结太阳能电池的带隙工程,可提高其在集中照明下的性能。
机译:克服带隙限制的通用概念用于设计高效的多结光伏电池
机译:研究多结ZnS / CdS / CdTe梯度带隙太阳能电池的电子性能
机译:冬至条件下中纬度,安静时间,经向,中性风的太阳周期趋势研究。