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机译:量子限制对以InGaN / GaN超晶格为吸收层的InGaN基太阳能电池的电子和光学特性的影响
King Saud Univ, Dept Phys & Astron, Coll Sci, Riyadh 11451, Saudi Arabia|Natl Taiwan Univ, Dept Phys, Taipei 106, Taiwan;
King Saud Univ, Dept Phys & Astron, Coll Sci, Riyadh 11451, Saudi Arabia;
Philipps Univ Marburg, Fachbereich Chem, Hans Meerwein Str, D-35032 Marburg, Germany;
Hubei Univ Automot Technol, Sch Sci, Shiyan, Peoples R China;
GaN-InN solar cell based material; Photo-voltaic materials; Optoelectronic;
机译:InGaN / GaN超晶格吸收层对InGaN太阳能电池结构和光学性能的影响
机译:Al_(0.06)Ga_(0.94)N / GaN应变层超晶格覆层对AlN / GaN中间层的Si(111)衬底上生长的InGaN基多量子阱的影响
机译:具有多个InGaN / GaN超晶格堆叠以吸收更长的太阳光谱的纳米棒阵列的核-壳InGaN层的结构和光学研究
机译:通过金属有机气相外延(MOVPE)实现具有InGaN / GaN超晶格吸收层的InGaN太阳能电池
机译:高效硅太阳能电池的宽带隙异质结窗口层和光学限制
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:通过插入薄的GaN盖层来增强InGaN / GaN多量子阱太阳能电池的光伏响应