机译:高开路电压c-Si / a-Si:H异质结太阳能电池:光谱椭偏法研究氢等离子体处理的影响
Indian Inst Technol, Dept Phys, Gauhati 781039, Assam, India;
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c-Si/a-Si:H heterojunction solar cells; H(2)Plasma treatment; Open circuit voltage; Passivation and Spectroscopic ellipsometry;
机译:椭圆偏振光谱法对具有纳米级a-Si:H和In_2O_3:Sn层的a-Si:H / c-Si异质结太阳能电池结构进行无损表征
机译:探索a-Si:H / c-Si异质结太阳能电池开路电压的分析模型
机译:具有本征薄层太阳能电池的a-Si:H(N)/ c-Si(P)前异质结中改善开路电压的标准
机译:A-Si:H生长的实时控制与表征A-Si:H / C-Si异质结太阳能电池光谱椭圆形和红外光谱
机译:薄膜A-Si的光谱椭圆形研究:H / NC-Si:H MicroMorph太阳能电池制造在P-I-N超级型配置
机译:通过二维纳米图案化光敏层提高性能的薄膜a-Si:H /μc-Si:H串联太阳能电池
机译:用于硅异质结太阳能电池的预制作摩擦处理和氢化处理:使用低寿命商业级P型Czochralski硅的电路> 700 mV开路电压的可能路径