...
机译:退火温度和冷却速率对原始多晶金属硫属化物膜电极的光电化学性能的影响
An Najah Natl Univ, Chem Dept, SSERL, Nablus, Palestine;
An Najah Natl Univ, Chem Dept, SSERL, Nablus, Palestine;
An Najah Natl Univ, Chem Dept, SSERL, Nablus, Palestine;
An Najah Natl Univ, Chem Dept, SSERL, Nablus, Palestine;
An Najah Natl Univ, Chem Dept, SSERL, Nablus, Palestine;
Univ Amar Telidji Laghouat, Lab Semicond & Mat Fonct, Bd Martyrs BP37G, Laghouat 03000, Algeria;
Metal chalcogenides; Polycrystalline film electrodes; PEC; Annealing; Cooling rate;
机译:低温退火对锡掺杂赤铁矿光电阳极光电化学性能的影响
机译:退火温度对通过a-Si:H薄膜快速热退火形成的多晶硅薄膜的性能的影响
机译:氮气/氧/氮气环境中沉积退火温度对多晶镓氧化膜的影响
机译:对P型热蒸发双SB-TE薄膜进行室温热电性能的退火效应
机译:多晶态和单晶态高纯铝动态变形过程中的应变率和温度效应,包括TEM研究(塑性,微观结构,应变率,温度效应,历史)。
机译:退火温度对柔性衬底上掺杂Ti-Ga的ZnO薄膜性能的影响
机译:低温退火对掺锡赤铁矿光阳极光电化学性能的影响