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机译:退火引起的CdS / CuInGaSe_2薄膜物理化学和光电性质的修饰
Toshniwal Arts Commerce & Sci Coll, Dept Phys, Sengaon 431542, MS, India;
UGC DAE Consortium Sci Res, Univ Campus, Indore, Madhya Pradesh, India;
Thin films; CIGS chalcopyrite; Chemical route; Conversion efficiency; Post deposition annealing treatment;
机译:退火诱导的Ag掺杂纳米结构CdS薄膜物理化学和光电性质的修饰
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机译:CDCL_2退火对CSD-生长CDS薄膜光电性能的影响
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:从CsPbBr3纳米油墨到热退火烧结CsPbBr3–CsPb2Br5薄膜:对光电子性质的影响
机译:退火诱导ag掺杂纳米结构Cds薄膜物理化学和光电性质的改性