...
机译:具有Al含量渐变的AlGaN电子阻挡层的基于AlGaN的310 nm紫外发光二极管的优势
机译:[邀请]特殊的AlGaN分级超晶格孔和电子阻挡层提高了基于AlGaN的紫外线发光二极管的性能
机译:电子阻挡层中具有线性渐变AlGaN插入层的AlGaN基紫外发光二极管的增强性能
机译:具有超晶格电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管的优势
机译:有源区中具有渐变量子结构的AlGaN基深紫外发光二极管的优势
机译:用于深紫外光电器件的硅掺杂高铝含量AlGaN层中的位错减少
机译:具有高镁掺杂效率的特别设计的超晶格p型电子阻挡层的几乎无效率下降的基于AlGaN的紫外线发光二极管
机译:基于Algan的深紫外发光二极管的奇妙光学性能与基于内仑的最后量子屏障和步进电子阻挡层