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机译:沉积参数对CVD生长MoO_(3-x)纳米材料结构和光致发光的影响
Chongqing Univ, Coll Mat Sci & Engn, Chongqing 400044, Peoples R China;
Chongqing Univ Technol, Coll Chem & Chem Engn, Chongqing 400054, Peoples R China;
MoO3-x nanomaterials; Structural conversion; Oxygen vacancies; Photoluminescence;
机译:沉积参数对CVD生长MOO_(3-X)纳米材料结构和光致发光的影响
机译:通过表面生长形成的MoO_(3-x)/石墨烯纳米片杂化纳米材料的结构和光致发光特性
机译:MOO_(3-X)/石墨烯纳米酚杂交纳米材料的结构和光致发光性能通过表面生长形成
机译:沉积和加工参数对氮化物钝硅纳米团簇的电子结构和光致发光的影响
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:通过离子束沉积生长的InAs / GaAs异质结构的光致发光光谱的变化
机译:来自HFCVD生长的ZnO薄膜的Ta掺杂结构的高度可见光致发光
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究