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机译:电子俘获和输运对DIII-D上电子回旋加速器电流驱动的影响
General Atomics, PO Box 85608, San Diego, CA 92186-5608, USA;
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General Atomics, PO Box 85608, San Diego, CA 92186-5608, USA;
Princeton Plasma Physics Laboratory, Princeton, NJ 08543, USA;
CompX, Del Mar, CA, USA;
Lehigh University, Bethelehem, PA, USA;
General Atomics, PO Box 85608, San Diego, CA 92186-5608, USA;
General Atomics, PO Box 85608, San Diego, CA 92186-5608, USA;
Lawrence Livermore National Laboratory, PO Box 808, Livermore, CA 94551, USA;
Princeton Plasma Physics Laboratory, Princeton, NJ 08543, USA;
机译:使用DIII-D中的电子回旋加速器发射同时检测新古典撕裂模式和电子回旋加速器电流驱动位置
机译:离轴电子回旋加速器电流驱动对DIII-D中电流分布的修改
机译:基于电子 - 回旋电流驱动的新古典撕裂模式抑制阈值减小在DIII-d上的实验证据
机译:电子加速电流驱动在DIII-D的高电子温度下
机译:高电子亲和力亚芳基二酰亚胺半导体薄膜中的电荷传输,俘获和界面效应
机译:2013年3月17日暴风雨期间地球同步轨道内环形电流电子的传输和损失
机译:测量和预测的电子回旋电力沉积和DIII-D的电流驱动宽度
机译:最近DIII-D实验中被捕电子对电子回旋电流驱动效应的模拟