机译:退火温度在高κ基MOS器件中氧化物电荷分布中的作用:模拟和实验
Saha Inst Nucl Phys, 1-AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India;
St Thomas Coll Engn & Technol, 4 Diamond Harbour Rd, Kolkata 700023, India|Indian Inst Technol, Kharagpur 721302, W Bengal, India;
Saha Inst Nucl Phys, 1-AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India;
High-kappa dielectric; MOS device; Trapped charge distribution; TCAD simulation;
机译:一种用于提取MOSFET器件中界面陷阱和有效氧化物陷阱电荷密度的横向分布的新型电荷泵方法
机译:MOS器件氧化层中的辐射诱导电荷陷阱和退火模型
机译:具有两种不同的阻挡氧化物Al_2O_3和SiO_2的金属/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件中的电荷陷阱分布与存储特性之间的相关性
机译:MOS器件的可靠性预测:电荷积累和退火的实验和模型
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:通过热处理和退火提高GeSe超薄板的光致发光效率:实验和第一性原理分子动力学模拟
机译:低温下铝单晶上纳米氧化物的生长:可变电荷分子动力学模拟